企业商机
氮化铝基本参数
  • 品牌
  • HumiSeal,4A,东京测器
  • 型号
  • 齐全
氮化铝企业商机

纳米氮化铝粉体主要用途:制造高性能陶瓷器件:制造集成电路基板,电子器件,光学器件,散热器,高温绀坞。制备金属基及高分子基复合材料:特别是在高温密封胶粘剂和电子封装材料中有极好的应用前景。纳米无机陶瓷车用润滑油及抗磨剂﹔纳米陶瓷机油中的纳米氮化铝陶瓷粒子随润滑油作用于发动机内部的摩擦副金属表面,在高温和极压的作用下被,并牢固渗嵌到金属表面凹痕和微孔中,修复受损表面,形成纳米陶瓷保护膜。因为这层膜的隔离作用,从而极大的降低摩擦力,将运动机件间的摩擦降至近乎零,通过改善润滑,可降低摩擦系数70%以上,提高抗磨能力300%以上,降低磨损80%以上,可延长机械零件寿命3倍以上,减少停工,降低维修成本,延长大修期一倍以上,节能5%~30%,提高设备输出功率15%-40%,其添加量为万分之二。陶瓷电子基板和封装材料领域,其性能远超氧化铝。苏州单晶氮化铝粉体品牌

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氮化铝具有高热导率、良好的电绝缘性、低介电常数、无毒等性能,应用前景十分广阔,特别是随着大功率和超大规模集成电路的发展,集成电路和基片间散热的重要性也越来越明显。因此,基片必须要具有高的导热率和电阻率。为满足这一要求,国内外研究学者开发出了一系列高性能的陶瓷基片材料,其中主要包括:Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC,其中氮化铝是综合性能很优良的新型先进陶瓷材料,被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料。烧结过程是氮化铝陶瓷制备的一个重要阶段,直接影响陶瓷的显微结构如晶粒尺寸与分布、气孔率和晶界体积分数等。因此烧结技术成为制备高质量氮化铝陶瓷的关键技术。氮化铝陶瓷常用的烧结技术有无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。高导热氮化硼生产厂家氮化铝材料有陶瓷型和薄膜型两种。

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氮化铝陶瓷具有优良的热、电、力学性能,所以它的应用范围比较广。可以制成氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电耗损小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。氮化铝陶瓷硬度高,超过氧化铝陶瓷,也可用于磨损严重的部位。利用氮化铝陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。氮化铝新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。氮化铝陶瓷的金属化性能较好,可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中较广应用。

随着电子和光电行业蓬勃发展,电子产品的功能越发,同时体积也越来越小,使集成电路(IC)和电子系统在半导体工业上也朝向高集成密度以及高功能化的方向发展。目前,封装基板材料主要采用氧化铝陶瓷或高分子材料,但随着对电子零件的承载基板的要求越来越严格,它们的热导率并不能满足行业的需求,而AlN因具有良好的物理和化学性能逐步成了封装材料的首要选择。氮化铝陶瓷室温比较强度高,且不易受温度变化影响,同时热导率高(比氧化铝高5-8倍)且热膨胀系数低,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热,是一种优良的耐热冲材料及热交换材料,作为热交换材料,可望应用于燃气轮机的热交换器上。关于氮化铝的导热机理,国内外已做了大量的研究,并已形成了较为完善的理论体系。

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为什么要用氮化铝陶瓷基板?因为LED大灯的工作温度非常高。而亮度跟功率是挂钩的,功率越大,温度越高,再度提高亮度只有通过精细的冷却设计或者散热器件的加大,但是效果并不理想。能够使其达到理想效果的只有氮化铝陶瓷基板。首先氮化铝陶瓷基板的导热率很高,氮化铝基片可达170-260W/mK,是铝基板的一百倍。其次,氮化铝陶瓷基板还有非常优良的绝缘性,与灯珠更匹配的热膨胀技术等一系列优点。应用于电动汽车和混合动力汽车中的电力电子器件市场规模很大。而电力器件模块氮化铝陶瓷基板的技术和商业机遇都令人期待。氮化铝的电阻率较高,热膨胀系数低,硬度高,化学稳定性好但与一般绝缘体不同。成都绝缘氮化铝价格

氮化铝是综合机械性能很好的陶瓷材料,同时其热膨胀系数很小。苏州单晶氮化铝粉体品牌

AlN属于共价化合物,自扩散系数小,烧结致密化非常困难,通常需要使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物作为烧结助剂来促进烧结,但仍需要1800℃以上的烧结温度。近几年,出于减少能耗、降低成本以及实现AlN与金属浆料的共同烧结等因素考虑,人们开始注意AlN低温烧结技术的研究。所谓低温烧结是个相对概念,指的是将AlN的烧结温度降低到1600℃至1700℃之间实现致密度高的烧结。一般认为,AlN表层的氧是在高温下才开始向其晶格内部扩散。因此,低温烧结另外一个潜在的有利影响是可以延缓高温烧结时表层氧向AlN晶格内部扩散,增进后续热处理过程中的排氧效果,有利于制备出高热导率的陶瓷材料。低温烧结的关键技术是选择有效的烧结助剂。苏州单晶氮化铝粉体品牌

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