衢州导热氮化铝粉体厂家

氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板，具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。作为DPC、DBC、AMB等陶瓷覆铜板的陶瓷基板之一，氮化铝陶瓷基板用量十分巨大。因制备难度较大，目前国内氮化铝陶瓷基板仍以进口为主。氮化铝具有六方纤锌矿晶体结构，具有密度低、强度高、耐热性好、导热系数高、耐腐蚀等优点。由于铝和氮的原子序数小，氮化铝本身具有很高的热导率，其理论热导率可达319W/m·K。然而，在实际产品中，氮化铝的晶体结构不能完全均均匀分布，并且存在许多杂质和缺陷，使得其热导率低至170-230W/m·K。氮化铝(AIN)是AI-N二元系中稳定的相，它具有共价键、六方纤锌矿结构。衢州导热氮化铝粉体厂家

纳米氮化铝粉体主要用途：导热硅胶和导热环氧树脂:超高导热纳米AIN复合的硅胶具有良好的导热性，良好的电绝缘性，较宽的电绝缘性使用温度（工作温度-60℃ --200℃ ，较低的稠度和良好的施工性能。产品已达或超过进口产品，因为可取代同类进口产品而较广应用于电子器件的热传递介质，提高工作效率。如CPU与散热器填隙、大功率三极管、可控硅元件、二极管、与基材接触的细缝处的热传递介质。纳米导热膏是填充IC或三极管与散热片之间的空隙，增大它们之间的接触面积，达到更好的散热效果。其他应用领域:纳米氮化铝应用于熔炼有色金属和半导体材料砷化铵的绀蜗、蒸发舟、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温及耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品，以及目前应用与PI树脂，导热绝缘云母带，导热脂，绝缘漆以及导热油等。温州绝缘氮化铝粉体生产商氮化铝膜是指用气相沉积、液相沉积、表面转化或其它表面技术制备的氮化铝覆盖层。

致密度不高的材料热导率也不会高。为了获得高致密度的氮化铝陶瓷，一般采取的方法有：使用超细粉、改善烧结方式、引入烧结助剂等方法。因此，氮化铝粉体粒径的大小会直接影响到氮化铝陶瓷烧结的致密度。超细氮化铝粉体由于其高的比表面积，会在烧结的过程中增加烧结的推动力，加速烧结的过程。此外，粉体的尺寸变小也就意味着物质的扩散距离变短，高温下有利于液相物质的生成，极大地加强了流动传质作用。由于氮化铝自扩散系数小，烧结非常困难。只有使用纯度高的超细粉，才可以在烧结的过程中尽可能地减少气孔的出现，保持高致密度。因此，据中国粉体网编辑的了解，工业上一般要求超细氮化铝粉体的D50（即颗粒累积分布为50%的粒径）尺寸尽可能地保持在1~1.5μm左右且粒度均匀。

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到陶瓷基片表面（单面或双面）上的特殊工艺板。氮化铝陶瓷基板是以氮化铝陶瓷为主要原材料制造而成的基板。氮化铝陶瓷基板作为一种新型陶瓷基板，具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。近年来，随着我国电子信息行业的快速发展，市场对陶瓷基板的性能要求不断提升，氮化铝陶瓷基板凭借其优异的特征，其应用范围不断扩展。氮化铝陶瓷基板应用领域较广，涉及到汽车电子、光电通信、航空航天、消费电子、LED、轨道交通、新能源等多个领域，但受生产工艺、技术水平、市场价格等因素的影响，目前我国氮化铝陶瓷基板应用范围仍较窄，主要应用在制造业领域。相比与氧化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板性能优异，随着市场对基板性能的要求不断提升，未来我国氮化铝陶瓷基板行业发展空间广阔。氮化铝防导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。

高性能氮化铝陶瓷取决于氮化铝粉体的质量，到目前为止，制备氮化铝粉体有氧化铝粉碳热还原法、铝粉直接氮化法、化学气相沉积法、自蔓延高温合成法等多种方法，各种方法都有其自身的优缺点。综合来看，氧化铝粉碳热还原法和铝粉直接氮化法比较成熟，是目前制备高性能氮化铝粉的主流技术，已经用于工业化大规模生产。氮化铝粉体制备的技术发展趋势主要表现在两个方面：一是进一步提升氮化铝粉体的性能，使之能够制造出更高热导率的氮化铝陶瓷产品；二是进一步提升氮化铝粉体批次生产稳定性，增大批生产量，降低生产成本。我国目前的高性能氮化铝粉基本依赖进口，不但价格高昂，而且随时存在原材料断供的风险。因此，实现高性能氮化铝粉制造技术的国产化，已成为当务之急。氮化铝一般难以烧结致密，使用添加剂可以在较低温度产生液相，润湿晶粒，从而达到致密化。绍兴超细氮化硼

氮化铝可以抵抗大部分融解的盐的侵袭，包括氯化物及冰晶石〔即六氟铝酸钠〕。衢州导热氮化铝粉体厂家

目前AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、放电等离子烧结(SPS)、微波烧结和自蔓延烧结。热压烧结是在加热粉体的同时进行加压，利用通电产生的焦耳热和加压造成的塑性变形来促进烧结过程的进行。相对于无压烧结来说，热压烧结的烧结温度要低得多，而且烧结体致密，气孔率低，但其加热、冷却所需时间较长，且只能制备形状不太复杂的样品。热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。由于AlN具有很强的共价性，故其在常压烧结时需要的烧结温度很高。在常压烧结条件下，添加了Y2O3的AlN粉能产生液相烧结的温度为1600℃以上，且烧结温度要受AlN粒度、添加剂种类及添加剂的含量等因素的影响。常压烧结的烧结温度一般为1600～2000℃，保温时间为2h。衢州导热氮化铝粉体厂家