荆州了解PCB设计加工

ADC和DAC是数字信号和模拟信号的接口，在通信领域，射频信号转换为中频信号，中频信号经过ADC转换成数字信号，经过数字算法处理后，再送入DAC转换成中频，再进行了变频为射频信号发射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原则：优先兼顾ADC、DAC前端模拟电路，严格按照原理图电路顺序呈一字型对ADC、DAC前端模拟电路布局。2、ADC、DAC本身通道要分开，不同通道的ADC、DAC也要分开。3、ADC、DAC前端模拟电路放置在模拟区，ADC、DAC数字输出电路放置在数字区，因此，ADC、DAC器件实际上跨区放置，一般在A/D之间将模拟地和数字地相连或加磁珠处理。4、如果有多路模拟输入或者多路模拟输出的情况，在每路之间也要做地分割处理，然后在芯片处做单点接地处理。5、开关电源、时钟电路、大功率器件远离ADC、DAC器件和信号。6、时钟电路对称放置在ADC、DAC器件中间。7、发送信号通常比接收信号强很多。因此，对发送电路和接收电路必须进行隔离处理，否则微弱的接收信号会被发送电路串过来的强信号所干扰，可通过地平面进行屏蔽隔离，对ADC、DAC器件增加屏蔽罩，或者使发送电路远离接收电路，截断之间的耦合途径。叠层方案子流程以及规则设置。荆州了解PCB设计加工

电气方面注意事项（1）TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置；（2）热敏器件远离大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分区布局；（4）数字、模拟器件分区布局；（5）电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料；（6）串联电阻靠近源端放置；串联电容靠近末端放置；并联电阻靠近末端放置；（7）退藕电容靠近芯片的电源管脚；（8）接口电路靠近接口；（9）充分考虑收发芯片距离，以便走线长度满足要求；（10）器件按原理图摆一起；（11）二极管、LED等极性与原理图应保持一致。武汉打造PCB设计报价ADC和DAC前端电路布线规则。

布局整体思路（1）整板器件布局整齐、紧凑;满足“信号流向顺畅，布线短”的原则；（2）不同类型的电路模块分开摆放，相对、互不干扰；（3）相同模块采用复制的方式相同布局；（4）预留器件扇出、通流能力、走线通道所需空间；（5）器件间距满足《PCBLayout工艺参数》的参数要求；（6）当密集摆放时，小距离需大于《PCBLayout工艺参数》中的小器件间距要求；当与客户的要求时，以客户为准，并记录到《项目设计沟通记录》。（7）器件摆放完成后，逐条核实《PCBLayout业务资料及要求》中的布局要求，以确保布局满足客户要求。

SDRAM的端接1、时钟采用∏型(RCR)滤波，∏型滤波的布局要紧凑，布线时不要形成Stub。2、控制总线、地址总线采用在源端串接电阻或者直连。3、数据线有两种端接方法，一种是在CPU和SDRAM中间串接电阻，另一种是分别在CPU和SDRAM两端串接电阻，具体的情况可以根据仿真确定。SDRAM的PCB布局布线要求1、对于数据信号，如果32bit位宽数据总线中的低16位数据信号挂接其它如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况，SDRAM作为接收器即写进程时，首先要保证SDRAM接收端的信号完整性，将SDRAM芯片放置在信号链路的远端，对于地址及控制信号的也应该如此处理。2、对于挂了多片SDRAM芯片和其它器件如boot、flashmemory、244\245缓冲器等的情况，从信号完整性角度来考虑，SDRAM芯片及boot、flashmemory、244\245缓冲器等集中紧凑布局。3、源端匹配电阻应靠近输出管脚放置，退耦电容靠近器件电源管脚放置。4、SDRAM的数据、地址线推荐采用菊花链布线线和远端分支方式布线，Stub线头短。5、对于SDRAM总线，一般要对SDRAM的时钟、数据、地址及控制信号在源端要串联上33欧姆或47欧姆的电阻，否则此时总线上的过冲大，可能影响信号完整性和时序,有可能会损害芯片。京晓科技与您分享等长线处理的具体步骤。

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。京晓科技带您梳理PCB设计中的各功能要求。黄冈高速PCB设计布线

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ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项：（1）测试点焊盘≥32mil；（2）测试点距离板边缘≥3mm；（3）相邻测试点的中心间距≥60Mil。（4）测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil，Chip器件焊盘边缘≥10mil，其它导体边缘≥12mil。（5）整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔，且在板子的对角线上非对称放置。（6）优先在焊接面添加ICT测试点，正面添加ICT测试点需经客户确认。（7）电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。（8）优先采用表贴焊盘测试点，其次采用通孔测试点，禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。（9）优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点，采用Stub方式添加ICT测试点时，Stub走线长不超过150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。（11）测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方，以防止被器件或物件覆盖。（12）差分信号增加测试点，必须对称添加，即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点荆州了解PCB设计加工

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