随着电子产品的高密度化及电子制造的无铅化,PCB及PCBA产品的技术水平、质量要求也面临严峻的挑战,PCB的设计与生产加工及组装过程中需要更严格的工艺与原材料的控制。目前由于尚处于技术和工艺的转型期,客户对PCB制程及组装的认识尚有较大差异,于是类似漏电、开路(线路、孔)、焊接不良、爆板分层之类的失效常常发生,常引起供应商与用户间的质量责任纠纷,为此导致了严重的经济损失。通过对PCB及PCBA的失效现象进行失效分析,通过一系列分析验证,找出失效原因,挖掘失效机理,对提高产品质量,改进生产工艺,仲裁失效事故有重要意义。SIR测试参考标准:JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes钎焊熔剂的试验方法。广东多功能电阻测试发展
测量电阻。采用50V的直流偏置电压,用100V的测试电压测试每块板的菊花链网络的绝缘电阻前至少充电60S的时间。偏置电压的极性和测试电压的极性必须随时保持一致。4、在初始的绝缘电阻测量后关闭测试系统,使样品在65±2℃或85±2℃、相对湿度为87+3/-2%RH、无偏压的环境下静置96个小时(±30分钟)。96个小时(±30分钟)的静置期后,在每个菊花链网络和地之间测试绝缘电阻。5、确认所有的测试样品的连接是有效的,每个测试电路对应适当的限流电阻。然后将测试板与电源相连开始进行T/H/B部分的CAF测试。广州维柯信息技术有限公司的高低阻(CAF/TCH)测试系统可以做到陕西直销电阻测试诚信合作SIR表面绝缘电阻测试的目的之一:变更助焊剂和/或锡膏。

焊点助焊剂(Flux)清洁与否,将影响ECM发生多寡IC芯片封装成BGA后,于植球时会使用助焊剂(Flux)确保两种不同的金属或合金连接顺利。宜特可靠性验证实验室就观察到,Flux工艺后,若没有进行清洁动作,不仅残留物将阻碍Underfill流动路径(图四),导致填充胶无法填满芯片底部,造成许多的气泡(延伸阅读:如何利用真空压力烤箱消灭UnderfillVoid),更会加剧ECM的发生。可靠性验证实验室,特别做了两项实验设计(DOE),实验条件套用HAST常见的温度:130°C/湿度:85%RH,使用助焊剂为坊间常见免清洗型助焊剂。***项DOE样品不做助焊剂清洁(Flux clean),第二项DOE样品做助焊剂清洁(Flux Clean),DOE结果可清楚看到,未做Flux Clean的样品,出现了ECM现象(图五(左)),而有做Flux Clean的样品,尽管同样出现ECM现象(图五(右)),但非常细微。
表面电子组件的电化学迁移的发生机理取决于四个因素:铜、电压、湿度和离子种类。当环境中的湿气在电路板上形成水滴时,能够与表面上的任何离子相互作用,使离子沿着电路板表面移动。离子与铜发生反应,它们在电压的作用下,被推动着在铜电路之间迁移。这通常被总结为一系列步骤:水吸附、阳极金属溶解或离子生成、离子积累、离子迁移到阴极和金属枝晶状生长。线路板表面的每一种材料都有可能是电迁移产生的影响因素:无论是线路板材料和阻焊层、元器件的清洁度,还是制板工艺或组装工艺产生的任何残留物(包括助焊剂残留物)。由于这种失效机制是动态变化的,理想状况是对每种设计和装配都进行测试。但这是不可行的。这就提出了一个问题:如何比较好地描述一个组件的电化学迁移倾向。多通道导通电阻实时监控测试系统,可监测温度范围:-70℃-200℃,精度± 1℃。

ROSE是用2-丙醇和水溶液,通过手工、动态和静态三种方法萃取板表面的任何残留物。通常是将整个板子浸入溶液中,然后测量这种萃取物的电阻率,测量值由板子表面所有可溶性离子种类的离子含量决定。每种萃取方法在如何准确地实现这一过程上各不相同。通常,**测试电阻率是不够的,因为它不能区分是哪些离子导致萃取电阻率下降。为了评估哪些离子存在,必须进行额外的离子色谱检测。通过允许操作人员从过程中识别离子含量的来源,来完成测试。此外,过程控制从组装工艺的开始就要进行,线路板和元器件的进厂清洁度与组装的**终清洁度同样重要。这也可以通过一种能够在较小规模上从表面萃取的测试方法更有效地实现。SIR表面绝缘电阻测试的目的之一:考核裸板供应商资质。广西供应电阻测试牌子
测试评估绝缘电阻性能的综合解决方案。广东多功能电阻测试发展
SIR和局部萃取的结果是通过或失败。判定标准分别基于电路电阻率和萃取液电阻率。为了便于参考,附录中包含了详细的结果。如表1所示,通过被编码为绿色,失败被编码为橙色。结果显示了一个清晰的定义:即所有未清洗的测试模块都没有通过测试,所有清洗过的测试模块都通过了测试。事实上,助焊剂残渣中含有大量的离子,局部萃取试验很快就超过了电阻率极限。在未清洗板上有几种离子浓度很高。总的来说,这是一个非常极端的比较,因为更有可能是部分清洗而不是完全未清洗。这加强了必须清洗使用了水溶性焊锡膏组件的重要性。广东多功能电阻测试发展
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