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设计规划设计规划子流程：梳理功能要求→确认设计要求→梳理设计要求。梳理功能要求（1）逐页浏览原理图，熟悉项目类型。项目类型可分为：数字板、模拟板、数模混合板、射频板、射频数模混合板、功率电源板、背板等，依据项目类型逐页查看原理图梳理五大功能模块：输入模块、输出模块、电源模块、信号处理模块、时钟及复位模块。（2）器件认定：在单板设计中，承担信号处理功能器件，或因体积较大，直接影响布局布线的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒温晶振，时钟芯片，大体积电源芯片。确认设计要求（1）客户按照《PCBLayout业务资料及要求》表格模板，规范填写，信息无遗漏；可以协助客户梳理《PCBLayout业务资料及要求》表格，经客户确认后，则直接采纳。（2）整理出正确、完整的信号功能框图。（3）按照《PCB Layout业务资料及要求》表格确认整版电源，及各路分支的电源功耗情况，根据电源流向和电流大小，列出电流树状图，经客户确认后，予以采纳。通过学习PCB的结构、材料以及层次设计，学员可以逐步了解不同类型的PCB及其特点。深圳定制PCB培训走线

孔径和焊盘尺寸元件安装孔的直径应该与元件的引线直径较好的匹配，使安装孔的直径略大于元件引线直径的(0.15~0.3)mm。通常DIL封装的管脚和绝大多数的小型元件使用0.8mm的孔径，焊盘直径大约为2mm。对于大孔径焊盘为了获得较好的附着能力，焊盘的直径与孔径之比，对于环氧玻璃板基大约为2，而对于苯酚纸板基应为(2.5~3)。过孔，一般被使用在多层PCB中，它的小可用直径是与板基的厚度相关，通常板基的厚度与过孔直径比是6:1。高速信号时，过孔产生(1~4)nH的电感和(0.3~0.8)pF的电容的路径。因此，当铺设高速信号通道时，过孔应该被保持到小。对于高速的并行线(例如地址和数据线)，如果层的改变是不可避免，应该确保每根信号线的过孔数一样。并且应尽量减少过孔数量，必要时需设置印制导线保护环或保护线，以防止振荡和改善电路性能。如何PCB培训布局除了理论知识和实践技能的培养，综合素质的提升也是PCB培训的重要目标之一。

7、晶振离芯片尽量近，且晶振下尽量不走线，铺地网络铜皮。多处使用的时钟使用树形时钟树方式布线。8、连接器上信号的排布对布线的难易程度影响较大，因此要边布线边调整原理图上的信号(但千万不能重新对元器件编号)。9、多板接插件的设计：(1)使用排线连接：上下接口一致；(2)直插座：上下接口镜像对称，如下图：10、模块连接信号的设计：(1)若2个模块放置在PCB同一面，则管教序号大接小小接大(镜像连接信号)；(2)若2个模块放在PCB不同面，则管教序号小接小大接大。

在设计中，从PCB板的装配角度来看，要考虑以下参数:1)孔的直径要根据材料条件(MMC)和材料条件(LMC)的情况来决定。一个无支撑元器件的孔的直径应当这样选取，即从孔的MMC中减去引脚的MMC，所得的差值在0.15-0.5mm之间。而且对于带状引脚，引脚的标称对角线和无支撑孔的内径差将不超过0.5mm，并且不少于0.15mm。2)合理放置较小元器件，以使其不会被较大的元器件遮盖。3)阻焊的厚度应不大于0.05mm。4)丝网印制标识不能和任何焊盘相交。5)电路板的上半部应该与下半部一样，以达到结构对称。因为不对称的电路板可能会变弯曲。时钟、总线、片选信号要远离I/O线和接插件。

在现代科技发展快速的时代，电子产品已经成为我们生活中不可或缺的一部分。其中，PCB（Printed Circuit Board印刷电路板）作为电子产品中重要的组成部分之一，起到了承载和连接电子元器件的重要作用。由于其广泛应用于电脑、手机、家电等众多领域，对PCB的需求量也日益增长。因此，掌握PCB设计和制造技术成为了现代人不可或缺的一项技能。为了满足不同人群对PCB技术的需求，许多相关的培训机构相继涌现。这些培训机构致力于向学员传授PCB的相关知识和技能，帮助他们迅速掌握并应用于实际项目中。在正式培训结束后，提供持续的学习资源和支持。武汉专业PCB培训报价

元器件的排列要便于调试和维修，亦即小元件周围不能放置大元件、需调试的元、器件周围要有足够的空间。深圳定制PCB培训走线

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。深圳定制PCB培训走线