逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(一般为220v50HZ正弦或方波)。通俗的讲,逆变器是一种将直流电(DC)转化为交流电(AC)的装置。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。常见的组成部分是整流二极管和晶闸管。几乎所有的家用电器和电脑中都有整流器,安装在电器的电源中。直流变交流,称为逆变器。逆变器能够将直流的功率经过转换,变成所要求的交流功率。而且在确定的时间之内就能够使得开关器件得到导通、关断,而且能够输出,还能够起到保护电路的作用。比如空调,包括一些电动工具,还有电脑、油烟机、冰箱等,家用的电器都需要通过逆变器实现转变的功能,才能够正常运行。运维团队通过定期举办技术交流活动,分享光伏电站运维经验和案例,促进行业发展。江西集中式光伏电站EPC
薄膜太阳能电池晶硅太阳能电池效率高,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。但由于硅材料价格比较高,想大幅度降低其成本是非常困难的。为了寻找晶硅电池的替代产品,成本更低的薄膜太阳能电池应运而生。主流的薄膜电池有硅基薄膜电池、碲化镉(CdTe)薄膜电池、铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池三种类型。硅基薄膜电池厚度*为2微米,与厚度为180微米左右的晶体硅电池相比,硅材料的用量*约为晶硅电池的1.5%,成本低廉。按照包含PN结数量的不同,硅基薄膜电池分为单结电池、双结电池以及多结电池,不同的PN结可以吸收不同波长的太阳光。目前单结电池的**高效率可达7%,双结可达10%。由于材料吸光率好,碲化镉薄膜电池的转换效率比硅基薄膜电池要高一些,目前效率可达12%。但元素镉具有致*作用且碲的天然储量有限,该电池长期发展受到一定的制约。铜铟镓硒薄膜电池被认为是高效薄膜电池的未来发展方向,可通过制造工艺的调整提高对太阳光的吸收率,从而使得转换效率得到提升。目前,实验室的转换效率可达20.1%,产品效率可达13-14%,是所有薄膜电池里面比较高的一种。河南分布式光伏电站方案优化运维流程,提高光伏电站发电效率,助力清洁能源事业发展。
ISC,短路电流。短路电流是太阳能电池板产生的最大电流,它的单位是安培(A)或毫安(mA)。短路的数值取决于太阳能板面积、落在太阳能电池板上的太阳辐射、电池技术等。有时制造商给出的是电流密度而不是电流值。电流密度用 "J "表示,短路电流密度用 "JSC "表示。他们之间的关系可以用以下公式表示:JSC = ISC / A。举个例子:一个太阳能电池板在STC时的电流密度为50mA/cm2,面积为300 cm2。那么短路电流可以按以下方式确定:ISC=JSC*面积=50*300=15000mA=15A.
1、运维人员配备及介入时间光伏电站运维人员配置根据电站容量一般按10MW配置1.2~1.5个运维员,比较低不低于4人,实行两班倒机制。一个电站按站长1人、副站长1人、值长2~4人、电气专工、普通运维人员的组织架构进行人员配备。所有人员需取得特种作业证(高压电工)及调度颁发的运维证书。运维人员的比较好介入时间是电站建设期中开始进行电气调试的时候,此时运维人员可以跟着厂家、调试单位工程师一起参与各电力设备的调试,熟悉电站电力设备的配置情况,对电站电气设备配置有个更清晰的了解,同时进行设备材料、设备安装质量。尤其是监控后台的调试,调试期间运维人员要多与厂家沟通监控后台的制作细节,方便今后自己的使用。对于电站内的通讯线要及时要求调试单位或自己做好标签,也是为了方便后期设备维护。调试期间介入对今后电站投运后接手运维工作能做到知根知底,得心应手。光伏电站运维涉及设备维护、性能监测、故障排查等多个方面,需要专业知识和技能。
目前单晶硅太阳能电池光电转换效率的比较高纪录,是新南威尔士大学PERL结构太阳电池创造的24.7%。其技术特点包括:硅表面磷掺杂的浓度较低,以减少表面的复合和避免表面“死层”的存在;前后表面电极下面局部采用高浓度扩散,以减小电极区复合并形成好的欧姆接触;通过光刻工艺使前表面电极变窄,增加了吸光面积;前表面电极采用更匹配的金属如钛、钯、银金属组合,减小电极与硅的接触电阻;电池的前后表面采用SiO2和点接触的方法以减少电池的表面复合。但是,该技术目前还没有实现产业化。除了PERL技术以外,还可以采用其它技术提高转换效率。如BPSolar的表面刻槽绒面电池和背电极(EWT)穿越技术。前者主要是通过激光刻槽工艺减小正面电极的宽度,增加太阳光的吸收面积,规模化生产已能实现18.3%的效率;后者通过在电池上进行激光打孔,将正面的电极引到背面,从而增大了正面的吸光面积,能够实现21.3%的效率。光伏电站运维是保障绿色能源产业发展的重要环节,需要得到足够的重视和投入。江西山地光伏电站设计
通过优化光伏电站运维管理,降低运维成本,提高电站整体经济效益。江西集中式光伏电站EPC
技术路线TOPCon电池的**工序存在多条技术路线。TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃(BSG)和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。其中,氧化层钝化接触制备为TOPCon在PERC的基础上增加的工序,也是TOPCon的**工序,目前主要有4种技术路线:①LPCVD本征+磷扩:利用LPCVD设备生长氧化硅层并沉积多晶硅,再利用扩散炉在多晶硅中掺入磷制成PN结,形成钝化接触结构后进行刻蚀。LPCVD+磷扩目前行业占比66.3%,设备成熟度高但存在绕镀问题。②LPCVD离子注入:利用LPCVD设备制备钝化接触结构,再通过离子注入机精细控制磷在多晶硅中的分布实现掺杂,随后进行退火处理,***进行刻蚀。③PECVD原位掺杂:利用PECVD设备制备隧穿氧化层并对多晶硅进行原位掺杂。PECVD路线目前行业占比约为20.7%,PECVD优势在于绕镀问题小,单台产能大。同时PECVD也可结合PEALD达到较好均匀性和致密性的氧化硅层。④PVD原位掺杂:利用PVD设备,在真空条件下采用溅射镀膜,使材料沉积在衬底表面。行业占比约13%。江西集中式光伏电站EPC