浙江山地光伏电站技改

电池片是光伏发电的**部件，其技术路线和工艺水平直接影响光伏组件的发电效率和使用寿命。光伏电池片位于光伏产业链中游，是通过将单/多晶硅片加工处理得到的可以将太阳的光能转化为电能的半导体薄片。从电池片的必要性来看，光伏发电的原理来自于半导体的光电效应，通过光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差，是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量后形成电压和电流的过程。上游环节生产出来的硅片无法导电，经过加工处理得到的电池片决定了光伏组件的发电能力。光伏电站运维是保障绿色能源产业发展的重要环节，需要得到足够的重视和投入。浙江山地光伏电站技改

动态无功补偿装置的应用场合凡是安装有低压变压器地方及大型用电设备旁边都应该配备无功补偿装置(这是国家电力部门的规定)，特别是那些功率因数较低的工矿、企业、居民区必须安装。大型异步电机、变压器、电焊机、冲床、车床群、空压机、压力机、吊车、冶炼、轧钢、轧铝、大型交换机、电灌设备、电气机车等尤其需要。居民区除白炽灯照明外，空调、冷冻机等也都是无功功率不可忽视的耗用对象。农村用电状况比较恶劣，多数地区供电不足，电压波动很大，功率因数尤其低，加装补偿设备是改善供电状况、提高电能利用率的有效措施。河北地面光伏电站储能系统由电池、电器元件、机械支撑、加热和冷却系统、双向储能变流器、能源管理系统及电池管理系统组成。

光伏发电逆变系统的拓扑结构通常单相电压型逆变器主要分为推挽式、半桥和全桥逆变电路三种。这三种方式根据其不同的特点应用于不同的场合。推挽式逆变电路的电路结构比较简单。其上电路只需要两个晶闸管，基极驱动电路不需要隔离，驱动电路比较简单，但是晶闸管需要承受2倍的线路峰值电压，所以适合于低输入电压的场合应用。同时变压器存在偏磁现象，初级绕组有中心抽头，流过的电流有效值和铜耗较大，初级绕阻两部分应紧密藕合，绕制工艺复杂。因为推挽式逆变电路对于晶闸管的耐压要求比较高，不适合作为光伏发电的.逆变系统主回路。相比于推挽式逆变电路，单相半桥式逆变电路中所使用的晶闸管的耐压要求就相对较低，不会有线电压峰值2倍这么多，***不会超过线电压峰值。其逆变出来的波形也相对推挽式比较接近于正弦波，所以滤波的要求也相对较低。由于晶闸管的饱和压降减小到了**小，所以不是**重要的影响因素之一。但是由于半桥式逆变电路的结构决定其集电极电流在晶闸管导通时会增加一倍，使得在晶闸管选型的过程中，要考虑大电流、承受高压的情况，就难免会因为其价格昂贵，所以不适合作为光伏发电的逆变系统主回路。

薄膜太阳能电池晶硅太阳能电池效率高，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。但由于硅材料价格比较高，想大幅度降低其成本是非常困难的。为了寻找晶硅电池的替代产品，成本更低的薄膜太阳能电池应运而生。主流的薄膜电池有硅基薄膜电池、碲化镉(CdTe)薄膜电池、铜铟镓硒（CIGS）薄膜电池三种类型。硅基薄膜电池厚度*为2微米，与厚度为180微米左右的晶体硅电池相比，硅材料的用量*约为晶硅电池的1.5%，成本低廉。按照包含PN结数量的不同，硅基薄膜电池分为单结电池、双结电池以及多结电池，不同的PN结可以吸收不同波长的太阳光。目前单结电池的**高效率可达7%，双结可达10%。由于材料吸光率好，碲化镉薄膜电池的转换效率比硅基薄膜电池要高一些，目前效率可达12%。但元素镉具有致*作用且碲的天然储量有限，该电池长期发展受到一定的制约。铜铟镓硒薄膜电池被认为是高效薄膜电池的未来发展方向，可通过制造工艺的调整提高对太阳光的吸收率，从而使得转换效率得到提升。目前，实验室的转换效率可达20.1%，产品效率可达13－14%，是所有薄膜电池里面比较高的一种。输出电压稳定度是指逆变器输出电压的稳定能力。

清洁工具的使用及保管（1）作业中须使用公司允许的清洁工具。严禁私自使用违规工具。（2）组件清洁工作人员必须按规定着装，正确穿戴塑胶手套、绝缘胶鞋等安全防护用具，防止高空坠落及触电。（3）领用工具必须进行登记，进行作业前必须检查拖布、纱布中有无沙砾、铁丝、玻璃碎片等硬物，防止对光伏组件表面造成刮伤。（4）工具使用及保管过程中避免直接接触地面，使用完成后应用清水冲洗干净并自然风干，同时放到合理位置妥善保管。（5）爱护工具及防护用具，如有损坏及时告知相关部门，并酌情进行维修和更换。通过对光伏电站运维的持续优化和改进，实现电站的高效、稳定、安全运行。天津集中式农光互补光伏电站导水器采购

光伏电站运维涉及设备维护、性能监测、故障排查等多个方面，需要专业知识和技能。浙江山地光伏电站技改

太阳能电池是利用半导体材料的光电效应，将太阳能转换成电能的装置。光生伏***应的基本过程：假设光线照射在太阳能电池上并且光在界面层被接纳，具有足够能量的光子可以在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激起，致使产生电子－空穴对。界面层临近的电子和空穴在复合之前，将经由空间电荷的电场作用被相互分别。电子向带正电的N区而空穴向带负电的P区运动。经由界面层的电荷分别，将在P区和N区之间形成一个向外的可测试的电压。此时可在硅片的两边加上电极并接入电压表。对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.5～0.6V。经由光照在界面层产生的电子－空穴对越多，电流越大。界面层接纳的光能越多，界面层即电池面积越大，在太阳能电池中形成的电流也越大。浙江山地光伏电站技改