通信逆变器应提供标准的隔离型RS485标准通信接口,逆变器应能与光伏电站监控系统或数据采集器通过基于RS485通信接口的ModbusRTU协议。逆变器内RS485信号的有效传输距离得不小于1000米,RS485的传输速率不得低于9600bps。逆变器支持通讯棒用于4G信号传输。逆变器要求能够自动化运行,并且可通过远程控制,调整逆变器输出功率。并可将各项运行数据,实时故障数据,历史故障数据,总发电量数据,历史发电量(按月、按年查询),当前发电功率、日发电量、累计发电量、设备状态、电流、电压、逆变器机内温度、频率、故障信息等数据上传至计算机监控系统以及云端,运行和管理人员通过网络访问云平台获取光伏场区监控信息,远程对逆变器进行控制。享有权限的工作人员可通过手机App随时随地访问云平台对光伏厂区的运行进行数据查看和运行管理。光伏电站运维中的每一个细节,都关乎着能源转换的效率和环境的改善。宿迁屋顶光伏电站运维
微型逆变器在传统的PV系统中,每一路组串型逆变器的直流输入端,会由10块左右光伏电池板串联接入。当10块串联的电池板中,若有一块不能良好工作,则这一串都会受到影响。若逆变器多路输入使用同一个MPPT,那么各路输入也都会受到影响,大幅降低发电效率。在实际应用中,云彩,树木,烟囱,动物,灰尘,冰雪等各种遮挡因素都会引起上述因素,情况非常普遍。而在微型逆变器的PV系统中,每一块电池板分别接入一台微型逆变器,当电池板中有一块不能良好工作,则只有这一块都会受到影响。其他光伏板都将在比较好工作状态运行,使得系统总体效率更高,发电量更大。在实际应用中,若组串型逆变器出现故障,则会引起几千瓦的电池板不能发挥作用,而微型逆变器故障造成的影响相当之小。广东分布式农光互补光伏电站导水器安装光伏电站运维涉及设备维护、性能监测、故障排查等多个方面,需要专业知识和技能。
直流输入支路成套光伏连接器逆变器的直流输入侧应配置国内外**品牌的***防松动、防潮、防晒、防臭氧、抗紫外线、抗老化、阻燃、成套光伏连接器,成套光伏连接器必须采用具备防接错功能的公、母头形式(公、母头均由卖方成套提供)。成套光伏连接器的额定对地电压不低于DC1000V并满足逆变器的需求,冲击电压不低于6kV,额定电流不低于30A;工作环境温度范围不低于-30℃~85℃;工作温度上限不低于105℃;接触电阻不高于1mΩ;阻燃等级不低于UL94-V0;光伏连接器应防紫外线、防臭氧、防潮,插合状态的防护等级不低于IP67。若成套光伏连接器在供货时处于未插合状态,则必须对未插合的光伏连接器进行有效的防潮和防尘保护;成套光伏连接器必须能够与4mm²的光伏**电缆匹配。
多组串逆变是取了集中逆变和组串逆变的优点,避免了其缺点,可应用于几千瓦的光伏发电站。在多组串逆变器中,包含了不同的单独的功率峰值跟踪和直流到直流的转换器,这些直流通过一个普通的直流到交流的逆变器转换成交流电,并网到电网上。光伏组串的不同额定值(如:不同的额定功率、每组串不同的组件数、组件的不同的生产厂家等等)、不同的尺寸或不同技术的光伏组件、不同方向的组串(如:东、南和西)、不同的倾角或遮影,都可以被连在一个共同的逆变器上,同时每一组串都工作在它们各自的最大功率峰值上。同时,直流电缆的长度减少、将组串间的遮影影响和由于组串间的差异而引起的损失减到**小。运维团队在光伏电站运维过程中,始终保持高度的责任心和使命感,确保电站的安全稳定运行。
产品认证报告及其型式实验报告光伏逆变器至少应具备本技术协议书中要求的第三方认证并提供相关的型式试验报告。逆变器需要做的认证测试标准包括:GB/T19964-2012《光伏发电站接入电力系统技术规定》、NB/T32004-2013《光伏发电并网逆变器技术规范》、IEC62109-1/2《光伏发电**逆变器的安全》、GB/T17799.2或其等效标准IEC61000-6-2、GB17799.3或其等效标准IEC61000-6-3等。第三方检测机构为中国电力科学研究院国家能源太阳能发电研发(实验)中心、中国质量认证中心(简称CQC)、北京鉴衡认证中心有限公司(简称CGC)、莱茵技术(上海)有限公司(简称TUV莱茵)、南德认证检测(中国)有限公司(简称TUV南德)、美国UnderwritersLaboratoriesInc.(简称美国UL)、加拿大CanadianStandardsAssociation(简称加拿大CSA)等。第三方认证报告中必须明确而清晰的体现出认证机构的名称、认证机构公章、认证日期或有效期限、被测试设备的具体型号等关键信息。光伏电站运维团队具备应急处理能力,能够迅速应对突发情况,确保电站安全稳定。海南太阳能光伏电站管理
光伏电站运维过程中,加强与设备供应商的合作,确保备件供应及时,降低维修成本。宿迁屋顶光伏电站运维
技术路线TOPCon电池的**工序存在多条技术路线。TOPCon电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃(BSG)和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。其中,氧化层钝化接触制备为TOPCon在PERC的基础上增加的工序,也是TOPCon的**工序,目前主要有4种技术路线:①LPCVD本征+磷扩:利用LPCVD设备生长氧化硅层并沉积多晶硅,再利用扩散炉在多晶硅中掺入磷制成PN结,形成钝化接触结构后进行刻蚀。LPCVD+磷扩目前行业占比66.3%,设备成熟度高但存在绕镀问题。②LPCVD离子注入:利用LPCVD设备制备钝化接触结构,再通过离子注入机精细控制磷在多晶硅中的分布实现掺杂,随后进行退火处理,***进行刻蚀。③PECVD原位掺杂:利用PECVD设备制备隧穿氧化层并对多晶硅进行原位掺杂。PECVD路线目前行业占比约为20.7%,PECVD优势在于绕镀问题小,单台产能大。同时PECVD也可结合PEALD达到较好均匀性和致密性的氧化硅层。④PVD原位掺杂:利用PVD设备,在真空条件下采用溅射镀膜,使材料沉积在衬底表面。行业占比约13%。宿迁屋顶光伏电站运维