云南非金属离子接地模块厂家供应

接地降阻模块检测实验（第四部分）：7、在《接地降阻剂技术条件》中建议合并项及理由：建议原5.1室温下电阻率测量与原5.2电阻率温度特性测试合并成现5.1理化性能测试中的5.1.1温度特性测试；试品盒也应该统一成图3，成为敞式盒（不加上绝缘盖）理由是：上述二者在室内放置时间相同，与后各项待测试品也是放置一周；待测试品放置一周目的是任其水分自然蒸发，其电阻率是后面各项测试计算基准；故需要敞式盒。如果密封一周内水分蒸发很少，室内温差也不大，这样测出的电阻率变化不大。从以往测试的13个厂家中大部分数据基本如此。总结：根据我公司多年的生产和产品使用经验，通过以上7条实验的技术要求，可以明确的保证该接地产品的降低接地电阻的稳定性、防腐蚀性、环保性。接地模块产品缺点，就找四川健坤科技有限公司。云南非金属离子接地模块厂家供应

接地模块安装配件⑴，接地模块连接卡。特点介绍：●与水平接地极直接卡接●螺栓紧固连接●铸件精密加工，保证良好接触●连接后再刷国家相关部门认可的纳米防腐导电涂料。多重保证可靠良好的电气连接。⑵，纳米防腐导电涂料。施工方法与普通单组分油漆一样简便易行，且对人体无毒副作用。纳米碳防腐导电涂料的用量为：每公斤涂料可涂刷3~4m2（指涂刷2遍的用量）。施工方法：先用电动钢丝刷除去钢材上的浮锈。开罐将涂料搅拌均匀。涂刷涂层后0.5小时表干，3小时实干。应涂刷2遍，间隔时间夏季为1小时、冬季为2-3小时。涂刷时，预留焊接部位；焊接后需除渣补涂2遍。夏季气温超过40℃时溶剂挥发较快，可适时添加本公司提供的稀释剂。重庆高能离子接地单元生产厂家接地模块施工要求，就找四川健坤科技有限公司。

Φ200×1500三梅花型接地模块：此产品由高压设备成型，采用立式压法结构紧密，强度高，由于考虑强电冲击波的散流接触面大，其结构采用梅花状，产品中采用多孔状减轻重量不易破碎；孔壁更容易吸水，使其能保持模块在干旱时处于潮湿状态。经实验证明此产品比其他圆柱或方型模块导电性能更好。产品附件：根据用户需要，可配附件采用卡接方式连接并配有JR纳米碳防腐导电涂料做导电防腐处理。此涂料技术指标如下：用电桥测得通电前涂层的直流电阻为0.15Ω；通电后扁钢被烧红，在2.3秒时扁钢被30KA大电流烧断成3截，试验中断；扁钢冷却后观察到涂层被烧结在扁钢上，扁钢断裂处涂层有少许气泡和脱落现象；再用电桥测得通电后涂层的直流电阻为0.03Ω。如有条件焊接情况下也可采取电焊连接并按要求在焊接处做防腐处理。

接地降阻模块检测实验：检测结果：电阻率的变化值仍然小于规范值（规范值6Ωm）水泡试验：目的：主要是以考察降阻剂中导电成分流失对电阻率的影响，检测接地模块的时效性，即随时间的变化稳定性。方法：本过程16天即可，无须28天。水泡后放置一周是使试品回到原始含湿程度，这样不因其水分增加带来影响。检测结果：电阻率的变化值仍然小于规范值（规范值6Ωm）化学分析：目的：这里不仅测试了接地模块中主要导电成分，也检查了流失情况。四川健坤科技有限公司为您提供接地模块相关产品。

接地降阻模块检测实验：方法：接地模块导电成分是影响产品质量的重要因素，电解质多为初期降阻明显，但又带来腐蚀。腐蚀地下金属酸根主要是CL-、SO42-、NO3-，因此化学分析是必要的。若强碱强酸盐控制在1/1000以下，自由电子（如碳元素）导电成分控制在55%以上是能达到稳定的低电阻率，其质量应是好的。检测结果：CL-、SO42-、NO3-强酸盐离子浓度总和控制在1/1000以下为合格，自由电子（如碳元素）导电成分控制在55%以上为合格。接地降阻模块检测实验：腐蚀测试：金属试件的比重应实测，埋地试验后用酸处理锈迹时，酸对非迹点也带来腐蚀，所以用未埋件作空白对照酸处理测试是必要的。在《接地降阻剂技术条件》5.7.2埋地腐蚀实验中增加缓蚀率对比测试，理由是腐蚀与地质pH值、干湿度、土壤电阻率、气候环境等因素有关。为此，作加与不加降阻剂试件对比缓蚀率测试是必要的。且因为季节时效因素的影响，缓蚀率对比测试的时间为一年接地模块搅拌机，就找四川健坤科技有限公司。云南非金属离子接地模块厂家供应

接地模块用土状石墨，就找四川健坤科技有限公司。云南非金属离子接地模块厂家供应

接地模块的型号JK-MLΦ150×1300能写上去，另外说明模块截面是三梅花状的，这样的形状有许多小厂是生产不出来的，三梅花状有几个好处：散流面积大，其与土壤的接触外表面积比圆柱的大很多，散流效果更好。重量小，易搬运。比起同样是Φ150的圆柱模块轻很多（约达10kg）三梅花型的产品在压制工艺上更易做到成型性好，密度高，我们的密度达到1.8吨/m3手工生产是不可能达到的。三梅花柱状的模块与方块平板式的模块比较，后者的泻流效果差，因为尺寸太短，根据理论，一般泻流范围要在1-1.5米，而方块的长度尺寸达不到。云南非金属离子接地模块厂家供应