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TS - 1855 作为目前市面上导热率比较高的导电银胶，其导热率高达 80W/mK，在众多银胶产品中脱颖而出。这一有效的导热性能使得它能够在电子封装中迅速将热量传递出去，有效降低电子元件的温度，从而提高电子设备的性能和稳定性 。在汽车功率半导体模块中，TS - 1855 能够快速将芯片产生的高热量传导至散热片，确保功率半导体在高负载运行时的温度始终处于安全范围内，避免因过热导致的性能下降和故障。除了高导热率，TS - 1855 还具有出色的附着力。它对各种模具尺寸的金属化表面都能保持良好的粘附能力，在 260℃、14MPa 的条件下，其 DSS（Die Shear Strength，芯片剪切强度）表现优异。功率器件封装，TS - 9853G 给力。相关烧结银胶诚信合作

高导热银胶导热率在 10W - 80W/mK，满足一般电子设备散热需求，其导电性和可靠性也能满足常规电子元件的电气连接和稳定工作要求 。半烧结银胶导热率处于 80W - 200W/mK 之间，在具备较高导热性能的同时，对 EBO 进行了优化，如 TS - 9853G 半烧结银胶符合欧盟 PFAS 要求，为其在环保要求较高的市场应用提供了优势 。烧结银胶导热率可达 200W/mK 以上，具有高可靠性和在高温下的稳定性，像 TS - 985A - G6DG 高导热烧结银胶在航空航天等极端环境应用中表现优异 。节约成本烧结银胶性价比高导热银胶，守护电子设备安全。

烧结银胶由于其极高的导热率和优良的电气性能，常用于品牌电子封装，如航空航天电子设备、高性能计算芯片等对性能和可靠性要求极为苛刻的领域 。在卫星通信设备的芯片封装中，烧结银胶能够承受宇宙射线、高低温交变等恶劣环境的考验，确保通信设备的稳定运行 。不同银胶在电子封装中的优劣各有不同。高导热银胶成本相对较低，工艺性好，但导热率和可靠性相对半烧结银胶和烧结银胶略逊一筹；半烧结银胶在成本、工艺性和性能之间取得了较好的平衡，适用于对性能有一定要求，但又需要控制成本的应用场景；烧结银胶性能优异，但制备工艺复杂，成本较高，主要应用于品牌领域 。

在 LED 领域，高亮度 LED 的散热问题一直是制约其性能和寿命的关键因素。一家 LED 照明企业在其新型大功率 LED 灯具中应用了 TS - 1855。在灯具点亮后，LED 芯片产生的热量能够通过 TS - 1855 快速传递到散热器上，使得 LED 芯片的结温明显降低。与使用传统银胶的 LED 灯具相比，采用 TS - 1855 的灯具光通量提高了 10% 左右，同时 LED 的使用寿命延长了 20% 以上。这使得该 LED 灯具在市场上具有更强的竞争力，满足了用户对高亮度、长寿命照明产品的需求 。在射频功率设备中，即使设备在高频振动和温度变化的环境中工作，TS - 1855 凭借其强大的附着力，依然能够保证芯片与基板之间的紧密连接，维持设备的正常运行。TS - 1855 银胶，高效散热典范。

烧结银胶的烧结原理是基于固态扩散机制和液态烧结辅助机制。在固态扩散机制中，当烧结温度升高到一定程度时，银原子获得足够的能量开始活跃，银粉颗粒之间通过原子的扩散作用逐渐形成连接。在烧结初期，银粉颗粒之间先是通过点接触开始形成烧结颈，随着原子不断扩散，颗粒间距离缩小，表面自由能降低，颈部逐渐长大变粗并形成晶界，晶界滑移带动晶粒生长 ，坯体中的颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小。在烧结中期，颗粒和颗粒开始形成致密化连接，扩散机制包括表面扩散、表面晶格扩散、晶界扩散和晶界晶格扩散等，颗粒间的颈部继续长大，晶粒逐步长大并且颗粒之间的晶界逐渐形成连续网络，气孔相互孤立，并逐渐形成球形，位于晶粒界面处或晶粒结合点处。高导热银胶，电子设备的散热卫士。介绍烧结银胶制作

半烧结银胶，工艺与性能兼备。相关烧结银胶诚信合作

与这些主要竞争对手相比，TANAKA 具有自身独特的优势。在技术方面，TANAKA 在贵金属材料领域拥有深厚的技术积累，其研发的高导热银胶、烧结银胶及半烧结银胶在导热性能方面表现优异。例如，TANAKA 的明星产品 TS - 1855，导热率高达 80W/mk，是目前市面上比较高导热率的导电银胶之一；TS - 9853G 导热率达到 130w/mk，且符合欧盟 PFAS 要求，对 EBO 有较好优化；TS - 985A - G6DG 导热率更是高达 200w/mk，在高导热烧结银胶领域具有重要地位。这些高性能的产品能够满足客户对散热性能的严苛要求，尤其在一些对导热性能要求极高的品牌应用领域，TANAKA 的产品具有明显的竞争优势。相关烧结银胶诚信合作