HJT电池为对称的双面结构，主要由N型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO)层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N型掺杂非晶硅层起到背场作用。HJT电池转换效率高，拓展潜力大，工艺简单并且降本路线清晰，契合了光伏产业发展的规律，是有潜力的下一代电池技术。HJT电池为对称的双面结构，主要由N型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO)层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N型掺杂非晶硅层起到背场作用。耐腐蚀标识牌清晰标注设备参数。无锡自动化HJT组件
釜川公司的HJT技术不仅在光伏发电领域表现出色，还在其他相关应用中展现出广阔的前景。例如，在分布式能源系统中，小巧高效的HJT组件可以为家庭和企业提供电力供应，实现能源的自给自足。在移动能源领域，如电动汽车的车顶太阳能充电板，HJT技术的轻薄、高效特性能够为车辆提供额外的续航里程。在实际应用案例中，某大型光伏电站项目采用了釜川公司的HJT组件，在建成后的运行期间，电站的发电量始终保持在较高水平，远远超过了预期。同时，由于HJT组件的低衰减特性，电站的长期运营成本大幅降低，为投资方带来了丰厚的回报。此外，釜川公司还积极开展与国内外企业和科研机构的合作。通过合作交流，共享技术资源和经验，不断推动HJT技术的发展和应用。同时，公司还参与制定了一系列行业标准和规范，为整个HJT产业的健康发展贡献了自己的力量。河南0bbHJT装备光伏治沙项目结合HJT技术，实现生态修复与发电协同。
高功率集中式发电应用场景：沙漠、戈壁、荒山等大面积闲置土地的集中式光伏电站。优势：HJT 电池量产效率超 26%（传统 PERC 约 23%），相同装机容量下占地面积减少 15%-20%，降低土地和支架成本。双面发电率超 90%，搭配跟踪支架时，背面可利用地面反射光发电，整体发电量比 PERC 电站高 10%-20%。温度系数低（-0.26%/℃），在高温地区（如中国西北、东南亚）发电衰减更慢，年均发电量提升 5% 以上。屋顶光伏系统应用场景：工厂屋顶、商业建筑屋顶、居民住宅屋顶的分布式发电项目。优势：空间利用率高：HJT 组件功率密度高（如 600W + 双玻组件），相同屋顶面积可安装更多容量，适合面积有限的工商业屋顶。美观与可靠性：非晶硅钝化层表面更平整，组件外观一致性好；n 型硅片无 LID 光衰，25 年衰减率低于 10%（PERC 约 15%），长期收益更稳定。适配储能系统：高发电量搭配储能电池时，可实现企业 “自发自用、余电存储”，降低用电成本。
HJT光伏技术相较于传统光伏技术有以下不同之处：1.更高的转换效率：HJT光伏技术采用了高效的双面结构，将电池片的正负极分别放在两侧，有效提高了光电转换效率，相较于传统光伏技术，HJT光伏技术的转换效率更高。2.更低的温度系数：HJT光伏技术采用了高质量的硅材料，使得电池片的温度系数更低，即在高温环境下仍能保持较高的转换效率，相较于传统光伏技术，HJT光伏技术的稳定性更好。3.更长的使用寿命：HJT光伏技术采用了高质量的材料和工艺，使得电池片的使用寿命更长，相较于传统光伏技术，HJT光伏技术的可靠性更高。4.更高的成本效益：HJT光伏技术采用了高效的生产工艺，使得生产成本更低，同时由于其更高的转换效率和更长的使用寿命，可以获得更高的发电收益，相较于传统光伏技术，HJT光伏技术的成本效益更高。HJT 于釜川之手，让光伏产业发展更具前景与希望。
HJT电池是一种新型的太阳能电池，其全称为“高效结晶硅太阳能电池”（HeterojunctionwithIntrinsicThinlayer）。HJT电池采用了先进的双面结晶硅技术，将p型硅和n型硅通过特殊工艺结合在一起，形成一个p-n结，从而实现了高效的电子转移和收集。同时，HJT电池还采用了超薄的内在层，使得电子和空穴在内在层中的扩散长度更短，从而提高了电池的效率。相比传统的晶体硅太阳能电池，HJT电池具有更高的转换效率、更低的温度系数和更长的使用寿命。此外，HJT电池还具有更高的光电转换效率和更低的光损失，能够在低光条件下仍然保持高效率。HJT电池的应用范围非常广阔，可以用于家庭光伏发电系统、商业光伏电站、工业用途等。随着技术的不断发展，HJT电池的成本也在逐渐降低，未来有望成为太阳能电池市场的主流产品。体验釜川 HJT，畅享光伏新境界，开启能源新境界。安徽0bbHJTCVD
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HJT电池生产设备，异质结电池整线解决方案，制绒清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和损伤层；2利用KOH腐蚀液对n型硅片进行各项异性腐蚀，将Si（100）晶面腐蚀为Si（111）晶面的四方椎体结构（“金字塔结构”），即在硅片表面形成绒面，可将硅片表面反射率降低至12.5%以下，从而产生更多的光生载流子；3形成洁净硅片表面，由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分，避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。无锡自动化HJT组件
