RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源在超导材料制备中的应用超导器件(如SQUID或量子比特)对表面污染极为敏感。RPS远程等离子源提供了一种超洁净处理方式,去除有机残留物而不引入缺陷。其低温工艺避免了超导材料的相变或降解。在约瑟夫森结制造中,RPS远程等离子源可用于精确刻蚀,确保结区的一致性。随着量子计算的发展,RPS远程等离子源成为制备高性能超导电路的关键工具。RPS远程等离子源在汽车电子中的可靠性保障汽车电子需在恶劣环境下可靠运行,其制造过程中的污染可能导致早期失效。RPS远程等离子源用于清洁PCB或传感器表面,去除离子污染物,提升耐湿性和电气性能。其均匀处理确保了批量生产中的一致性。在功率模块封装中,RPS远程等离子源还能优化界面导热性。通过集成RPS远程等离子源,汽车电子制造商能够满足严格的可靠性标准。适用于特种材料科研开发的超真空表面处理。海南晟鼎RPS服务电话

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随着3D NAND堆叠层数突破500层,深孔刻蚀后的残留物清洗成为技术瓶颈。RPS远程等离子源利用其优异的自由基扩散能力,可有效清理 深宽比超过60:1结构底部的聚合物残留。通过优化远程等离子体参数,在保持刻蚀选择比大于100:1的同时,将晶圆损伤深度控制在2nm以内。某存储芯片制造商在引入RPS远程等离子源后,将深孔清洗工序的良品率从87%提升至96%,单 wafer 处理成本降低30%。RPS远程等离子源在化合物半导体工艺中的优势在GaN、SiC等宽禁带半导体制造中,RPS远程等离子源展现出独特价值。其低温处理特性(<150℃)有效避免了化合物材料的热分解风险。通过采用Cl2/BCl3混合气体的远程等离子体刻蚀,实现了GaN材料的各向异性刻蚀,侧壁垂直度达89±1°。在HEMT器件制造中,RPS远程等离子源将界面态密度控制在1010/cm²·eV量级,明显 提升了器件跨导和截止频率。上海远程等离子体源RPS射频电源用于超硬涂层沉积前的表面活化。

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远程等离子体源(Remote Plasma Source,RPS)作为一种先进的表面处理技术,正逐渐在多个工业领域展现其独特的价值。这种装置通过在真空环境中产生等离子体,并将其传输到目标表面进行处理,从而实现了对材料表面的均匀、高效改性。RPS不仅避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤,还因其高度的集成性和灵活性,成为现代真空处理系统中不可或缺的一部分。其工作原理是将气体引入装置中,通过电场或磁场的激发产生等离子体,然后利用特定的传输机制将等离子体输送到需要处理的表面。这种技术广泛应用于半导体制造、光伏产业表面处理等领域。

RPS远程等离子源在研发实验室中的多功能性:研发实验室需要灵活的工艺工具来测试新材料和结构。RPS远程等离子源支持广泛的应用,从基板清洁到表面改性,其可调参数(如功率、气体流量和压力)允许用户优化实验条件。在纳米技术研究中,RPS远程等离子源可用于制备超洁净表面,确保实验结果的准确性。其低损伤特性也使其适用于生物传感器或柔性电子的开发。通过提供可重复的工艺环境,RPS远程等离子源加速了创新从实验室到量产的过程。在红外探测器制造中优化光敏面。

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远程等离子体源(RPS)是一种用于产生等离子体的装置,它通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺。如在CVD等薄膜设备中,RPS与设备腔体连接,进行分子级的清洗。在晶圆制造过程中,即使微米级的灰尘也会造成晶体管污染,导致晶圆废片,因此RPS的清洁性能尤为重要。RPS不仅避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤,还因其高度的集成性和灵活性,成为现代真空处理系统中不可或缺的一部分。在石墨烯器件制备中实现无损转移。福建pecvd腔室远程等离子源RPS推荐厂家

远程等离子工作时,本身的镀膜工艺是不工作的,没有直接接触有机发光材料,就不会对有机发光材质造成损伤。海南晟鼎RPS服务电话

远程等离子源,是一种基于变压器电感耦合等离子体技术的duli式自由基发生器(RPS),可以有效的解离输入气体。产生清洗或蚀刻所需的自由基(氟、氧原子等),这些自由基通过腔室压差传输,远程等离子体内的电场保持在较低的水平,避免电荷可能损坏敏感的晶圆结构,利用自由基的强氧化特性,达到腔室清洗(Chamber Clean)或制程(On-Wafer PROCESS)的目的。该产品设计具有先进的HA或PEO涂层plasma block,先进的功率自适应模式,满足多种镀膜和刻蚀工艺需求,小体积的同时最大功率可达10kw。海南晟鼎RPS服务电话

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