ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
芯片集成左右声道**的2×11段参数均衡器(BQ)和7段低音**BQ,支持频响曲线精细调整。以家庭影院场景为例,用户可通过I2C接口将低音通道频点从80Hz下潜至50Hz,同时提升120Hz频段3dB以增强环绕感。其2+1段动态范围控制(DRC)算法采用能量预测技术,在电影场景中可提前0.5秒调整增益,避免削波失真。虚拟低音增强功能通过谐波注入技术,使4英寸全频扬声器在30W功率下实现等效6英寸单元的低频下潜,实测F0从65Hz降至48Hz。3D音效模块通过哈斯效应模拟空间声场,在车载音响测试中使声像宽度从1.2米扩展至2.5米。至盛12S数字功放芯片支持I2S数字音频接口直连,省去DAC转换环节,信号传输损耗降低至0.01%。天津蓝牙至盛ACM8625P

ACM8687的推出推动了音频功放芯片向高集成度、智能化方向发展。其内置的DSP算法降低了下游厂商的开发门槛,使中小品牌也能实现**音效。至盛半导体借此构建了“芯片+算法+开发工具”的完整生态,吸引超200家合作伙伴加入。未来,随着AI技术的融入,ACM8687有望成为智能音频设备的**处理单元,重新定义听音体验。至盛半导体为ACM8687申请了12项**,涵盖虚拟低音算法、Peak DRC技术和双DRB模块架构。这些**形成了技术壁垒,确保产品在市场中的独特性。同时,芯片通过RoHS、REACH等环保认证,符合全球市场准入标准。湖南自主可控至盛ACM8625M演出场地应用至盛芯片后,通过功率因数校正技术使能源效率提升至92%以上。

ACM3221通过单一增益控制引脚(GAIN)提供五档固定增益选项:-3dB、0dB、3dB、6dB和12dB,覆盖从近场***到远场扩音的多样化需求。例如,在智能音箱应用中,12dB增益可驱动更大尺寸扬声器,提升低频下潜;而在蓝牙耳机中,0dB增益可避免信号过载导致的失真。增益切换无需外部MCU干预,*需调整该引脚电平即可实时生效,简化硬件设计流程。此外,芯片支持模拟音频输入,可直接连接CD播放器、手机等设备的模拟信号源,省去ADC转换环节,降低系统成本与延迟。
通过I2C接口支持**多4个ACM8636芯片级联,实现7.1声道或更多声道扩展。在家庭影院系统中,主芯片负责前置三声道,从芯片负责环绕和后置声道,通过I2C总线同步音量、EQ等参数。某**回音壁产品采用该方案后,声道间时延误差控制在±0.1ms以内,声像移动平滑无跳跃。低延迟音频处理从数字输入到模拟输出总延迟*32μs,满足专业音频设备要求。在直播场景中,该特性使主播声音与画面同步误差小于1帧(16ms),观众无明显感知延迟。相比传统模拟功放+DSP方案,系统延迟降低80%,***提升实时互动体验。至盛12S数字功放芯片支持4.5V-26.4V宽电压输入,适配电池供电与固定电源双应用场景。

基于心理声学原理,ACM8636通过注入二次、三次谐波模拟大尺寸扬声器的低频响应。在测试4英寸全频单元时,开启虚拟低音后,200Hz以下频段能量提升6dB,主观听感低频下潜增加1个八度。该算法计算量*占DSP资源的15%,在STM32F407等低成本MCU上即可实时运行,相比传统FIR滤波器方案成本降低70%。3D音效的空间渲染通过哈斯效应和头相关传输函数(HRTF)模拟声源方位,ACM8636可在水平面360°范围内精细定位声像。在车载音响测试中,开启3D音效后,驾驶员感知到的声像位置与实际扬声器位置误差小于5°。该功能支持用户自定义声场宽度和深度,在索尼SRS-RA5000音箱中,通过APP调节可使声场从1米扩展至5米,营造沉浸式聆听体验。户外演出应用至盛芯片后,扬声器防护等级达IP67,在暴雨环境中仍能保持正常工作状态。湖南自主可控至盛ACM8625M
家庭影院系统采用至盛芯片后,通过动态均衡技术自动补偿播放不同内容时的频响差异。天津蓝牙至盛ACM8625P
相较于同类升压芯片(如ACM5618或IU5706),ACM5620在效率、输出电流能力与保护功能上具备***优势。ACM5618虽同样采用全集成设计,但其输出电流能力*支持3A,而ACM5620可支持20A峰值电流,更适合大功率应用;IU5706虽输出功率更高(300W),但其输入电压范围(4.5V-24V)与输出电压范围(比较高36V)更偏向高压大功率场景,而ACM5620的宽输入电压范围(2.7V-20V)更贴合锂电池应用需求。此外,ACM5620的完整保护机制与可编程功能使其在安全性与灵活性上更胜一筹。天津蓝牙至盛ACM8625P
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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