四川BEAM-XL光刻机光源波长405微米

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻机开发了基于阻变存储器（RRAM）的存算一体架构。其激光直写技术在 10nm 厚度的 HfO₂介质层上实现了 5nm 的电极边缘控制，器件的电导均匀性提升至 95%，计算能效比达 10TOPS/W，较传统 GPU 提升两个数量级。基于该技术的边缘 AI 芯片，在图像识别任务中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已应用于智能摄像头和无人机避障系统，相关芯片出货量突破百万片。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。Polos-µPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品，推动无掩模光刻技术普及。四川BEAM-XL光刻机光源波长405微米

Polos系列通过无掩模技术减少化学废料产生，同时低能耗设计（如固态激光光源）符合绿色实验室标准。例如，其光源系统较传统DUV光刻机能耗降低30%，助力科研机构实现碳中和目标。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。河北德国POLOS光刻机微型传感器量产：80 µm开环谐振器加工能力，推动工业级MEMS传感器升级。

低成本桌面化光刻：SPS POLOS µ的科研普惠！Polos系列在微流体领域实现复杂3D流道结构的快速成型。例如，中科院理化所利用类似技术制备跨尺度微盘阵列，研究细胞浸润行为，为组织工程提供新策略3。Polos的高精度与灵活性支持仿生结构批量生产，推动医疗诊断芯片研发，如tumor筛查与药物递送系统的微型化64。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

在构建肝脏芯片的血管化网络时，某生物工程团队使用 Polos 光刻机实现了跨尺度结构制备。其无掩模技术在 200μm 的主血管与 5μm 的blood capillary间precise衔接，血管内皮细胞贴壁率达 95%，较传统光刻提升 30%。通过输入 CT 扫描的真实肝脏血管数据，芯片成功模拟门静脉与肝窦的血流梯度，使肝细胞功能维持时间从 7 天延长至 21 天。该技术为药物肝毒性测试提供了接近体内环境的模型，某制药公司使用后将候选药物筛选周期缩短 40%，相关成果登上《Lab on a Chip》封面。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接导入，微流控芯片制备周期缩短 40%。

某生物物理实验室利用 Polos 光刻机开发了基于压阻效应的细胞力传感器。其激光直写技术在硅基底上制造出 5μm 厚的悬臂梁结构，传感器的力分辨率达 10pN，较传统 AFM 提升 10 倍。通过在悬臂梁表面刻制 100nm 的微柱阵列，实现了单个心肌细胞收缩力的实时监测，力信号信噪比提升 60%。该传感器被用于心脏纤维化机制研究，成功捕捉到心肌细胞在病理状态下的力学变化，相关数据为心肌修复药物开发提供了关键依据。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。光学超材料突破：光子晶体结构precise制造，赋能超透镜与隐身技术研究。吉林BEAM-XL光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模

无掩模技术优势：摒弃传统掩模，图案实时调整，研发成本降低 70%，小批量生产经济性突出。四川BEAM-XL光刻机光源波长405微米

针对碳化硅（SiC）功率模块的栅极刻蚀难题，Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制，较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备，将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%，开关损耗减少 20%，推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构，使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周，助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。四川BEAM-XL光刻机光源波长405微米