浙江PSP光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸

教育领域：微纳科学的教学利器，Polos设备因其操作简便、安全稳定的特点，成为高校微纳科学教学的preferred工具。在荷兰代尔夫特理工大学的课堂上，学生利用POLOSµ完成微电极图案制作实验，将抽象的光刻原理转化为直观实践。设备的紧凑设计与低能耗特性，也适配了高校实验室的空间与预算限制，通过“理论+实操”的模式，为培养微纳加工领域人才提供了硬件支撑。德国 Polos 是桌面级紫外激光直写光刻机领域benchmark品牌，以 “高精度、低成本、易操作” 为core定位。主打无掩模技术与紧凑设计，产品覆盖 NanoWriter、Beam 等系列，分辨率达 0.3-23μm，适配多基材加工。广泛应用于微电子、生物医学等领域，为科研机构与中小企业提供高性价比微纳加工解决方案，推动技术普惠。​高频元件验证：成功开发射频器件与IDC电容器，加速国产芯片产业链突破。浙江PSP光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸

无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。河南桌面无掩模光刻机让你随意进行纳米图案化Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接导入，微流控芯片制备周期缩短 40%。

针对碳化硅（SiC）功率模块的栅极刻蚀难题，Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制，较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备，将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%，开关损耗减少 20%，推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构，使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周，助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

在微流控芯片集成领域，某微机电系统实验室利用 Polos 光刻机的多材料同步曝光技术，在同一块 PDMS 芯片上直接制备出金属电极驱动的气动泵阀结构。其微泵通道宽度可控制在 20μm，流量调节精度达 ±1%，响应时间小于 50ms。通过软件输入不同图案，可在 10 分钟内完成从连续流到脉冲流的模式切换。该芯片被用于单细胞代谢分析，实现了单个tumor细胞葡萄糖摄取率的实时监测，检测灵敏度较传统方法提升 3 倍，相关设备已进入临床前验证阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。光束引擎高速扫描：SPS POLOS µ单次写入400 µm区域，压电驱动提升扫描速度。

在微流体研究领域，德国 Polos 光刻机系列凭借独特优势脱颖而出。其无掩模激光光刻技术，打破传统光刻的局限，无需掩模就能实现高精度图案制作。这使得科研人员在构建微通道网络时，可根据实验需求自由设计，快速完成从图纸到实体的转化。​以药物传输研究为例，利用 Polos 光刻机，能制造出尺寸precise、结构复杂的微通道，模拟人体环境，让药物在微小空间内可控流动，much提升药物传输效率研究的准确性。同时，在细胞培养实验中，该光刻机制作的微流体芯片，为细胞提供稳定且适宜的生长环境，助力细胞生物学研究取得新突破。小空间大作为的 Polos 光刻机，正推动微流体研究不断向前。空间友好设计：占地面积小于 1.2㎡，小型实验室也能部署高精度光刻系统。重庆德国桌面无掩模光刻机光源波长405微米

紧凑桌面设计：Polos-BESM系统only占桌面空间，适合实验室高效原型开发。浙江PSP光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸

某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光，较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案，器件的电子迁移率达 2000 cm²/(V・s)，击穿电压提升至 1200V，远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀，刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%，助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。浙江PSP光刻机MAX基材尺寸4英寸到6英寸