闭赋模型窗口,在菜单中选择 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 项 目栏中设置与提取耦合线模型相关的参数,如图1・125所示。改变Min Coupled Length的值为 lOOmil,也就是说当耦合线长度超过lOOmil时,按耦合模型提取,少于lOOmil时,按单线模 型提取。
单击Via modeling setup按钮,在过孔模型设置界面将Target Frequency设置成533 MHz (因为要仿真的时钟频率是533MHz)。
单击OK按钮,关闭参数设置窗口。在菜单中选择Analyze-*Probe..,在弹出的窗 口中单击Net Browser..菜单,选择DDR1_CK这个网络(或者可以直接在Allegro界面中选取 网络)。可以看到因为已经设置好差分线和差分模型,所以会自动带出差分线DDRl_NCKo DDR3一致性测试是否需要经常进行?电气性能测试DDR3测试DDR测试

单击NetCouplingSummary,出现耦合总结表格,包括网络序号、网络名称、比较大干扰源网络、比较大耦合系数、比较大耦合系数所占走线长度百分比、耦合系数大于0.05的走线 长度百分比、耦合系数为0.01〜0.05的走线长度百分比、总耦合参考值。
单击Impedance Plot (Collapsed),查看所有网络的走线阻抗彩图。注意,在彩图 上方有一排工具栏,通过下拉按钮可以选择查看不同的网络组,选择不同的接收端器件,选 择查看单端线还是差分线。双击Plot±的任何线段,对应的走线会以之前定义的颜色(白色) 在Layout窗口中高亮显示。 电气性能测试DDR3测试DDR测试是否可以通过调整时序设置来解决一致性问题?

至此,DDR3控制器端各信号间的总线关系创建完毕。单击OK按钮,在弹出的提示窗 口中选择Copy,这会将以上总线设置信息作为SystemSI能识别的注释,连同原始IBIS文件 保存为一个新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件,则也可以选择Updateo
设置合适的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 选择 None, Package Parasitics使用Pin RLC封装模型。单击OK按钮保存并退出控制器端的设置。
On-Die Parasitics在仿真非理想电源地时影响很大,特别是On-Die Capacitor,需要根据 实际情况正确设定。因为实际的IBIS模型和模板自带的IBIS模型管脚不同,所以退出控制器 设置窗口后,Controller和PCB模块间的连接线会显示红叉,表明这两个模块间连接有问题, 暂时不管,等所有模型设置完成后再重新连接。
DDR3拓扑结构规划:Fly・by拓扑还是T拓扑
DDR1/2控制命令等信号,均采用T拓扑结构。到了 DDR3,由于信号速率提升,当负 载较多如多于4个负载时,T拓扑信号质量较差,因此DDR3的控制命令和时钟信号均釆用 F拓扑。下面是在某项目中通过前仿真比较2片负载和4片负载时,T拓扑和Fly-by拓 扑对信号质量的影响,仿真驱动芯片为Altera芯片,IBIS文件 为颗粒为Micron颗粒,IBIS模型文件为。
分别标示了两种拓扑下的仿真波形和眼图,可以看到2片负载 时,Fly-by拓扑对DDR3控制和命令信号的改善作用不是特别明显,因此在2片负载时很多 设计人员还是习惯使用T拓扑结构。 DDR3一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境?

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,I/O 口工作电压为 1.2V;时 钟信号频率为166〜533MHz;数据和命令地址(CA)信号速率333〜1066Mbps,并分别通过 差分选通信号和时钟信号的双沿釆样;控制信号速率为166〜533Mbps,通过时钟信号上升沿 采样;一般用于板载(Memory・down)设计,信号通常为点对点或树形拓扑,没有ODT功能。
LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同样釆用HSUL_12接口,I/O 口工作电压为1.2V; 时钟信号频率为667〜1066MHz;数据和命令地址(CA)信号速率为1333〜2133Mbps,分别 通过差分选通信号和时钟信号的双沿釆样;控制信号速率为667〜1066Mbps,通过时钟上升 沿釆样;一般用于板载设计,数据信号一般为点对点拓扑,命令地址和控制信号一般也釆用 Fly-by走线,有些情况下可以使用树形走线;数据和选通信号支持ODT功能;也支持使用 Write Leveling功能调整时钟和选通信号间的延时偏移。 DDR3内存的一致性测试包括哪些内容?北京设备DDR3测试
DDR3内存的一致性测试是否需要长时间运行?电气性能测试DDR3测试DDR测试
· 工业规范标准,Specification:如果所设计的功能模块要实现某种工业标准接口或者协议,那一定要找到相关的工业规范标准,读懂规范之后,才能开始设计。
因此,为实现本设计实例中的 DDR 模块,需要的技术资料和文档。
由于我们要设计 DDR 存储模块,那么在所有的资料当中,应该较早了解 DDR 规范。通过对 DDR 规范文件「JEDEC79R」的阅读,我们了解到,设计一个 DDR 接口,需要满足规范中规定的 DC,AC 特性及信号时序特征。下面我们从设计规范要求和器件本身特性两个方面来解读,如何在设计中满足设计要求。 电气性能测试DDR3测试DDR测试
有其特殊含义的,也是DDR体系结构的具体体现。而遗憾的是,在笔者接触过的很多高速电路设计人员中,很多人还不能够说清楚这两个图的含义。在数据写入(Write)时序图中,所有信号都是DDR控制器输出的,而DQS和DQ信号相差90°相位,因此DDR芯片才能够在DQS信号的控制下,对DQ和DM信号进行双沿采样:而在数据读出(Read)时序图中,所有信号是DDR芯片输出的,并且DQ和DQS信号是同步的,都是和时钟沿对齐的!这时候为了要实现对DQ信号的双沿采样,DDR控制器就需要自己去调整DQS和DQ信号之间的相位延时!!!这也就是DDR系统中比较难以实现的地方。DDR规范这样做的原因很简单,是要把逻辑设...