上海BEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米

细胞培养芯片需根据不同细胞类型设计表面微结构，传统光刻依赖掩模库，难以满足个性化需求。Polos 光刻机支持 STL 模型直接导入，某干细胞研究所在 24 小时内完成了神经干细胞三维培养支架的定制加工。其制造的微柱阵列间距可精确控制在 5-50μm，适配不同分化阶段的细胞黏附需求。实验显示，使用该支架的神经细胞轴突生长速度提升 30%，为神经再生机制研究提供了高效工具，相关技术已授权给生物芯片企业实现量产。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。POLOS µ 光刻机：微型化机身，纳米级曝光精度，微流体芯片制备周期缩短 40%。上海BEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米

上海有机化学研究所通过光刻技术制备多组分纳米纤维，实现了功能材料的精确组装。类似地，Polos系列设备可支持此类结构的可控加工，为新能源器件（如柔性电池）和智能材料提供技术基础3。设备的高重复性（0.1 µm）确保了科研成果的可转化性。掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。上海德国桌面无掩模光刻机光源波长405微米图案灵活性：支持 STL 模型直接导入，30 分钟完成从设计到曝光全流程。

SPS POLOS µ以紧凑的桌面设计降低实验室设备投入，光束引擎通过压电驱动实现高速扫描（单次写入400 µm区域）。支持AZ5214E等光刻胶的高效曝光，成功制备3 µm间距微图案阵列和叉指电容器，助力纳米材料与柔性电子器件的快速验证。其无掩模特性进一步减少材料浪费，为中小型实验室提供经济解决方案62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

超表面通过纳米结构调控光场，传统电子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻机的激光直写技术在石英基底上实现了亚波长量级的图案曝光，将超表面器件制备成本降低至传统方法的 1/5。某光子学实验室利用该设备，研制出宽带消色差超表面透镜，在 400-1000nm 波长范围内成像误差小于 5μm。其灵活的图案编辑功能还支持实时优化结构参数，使器件研发周期从数周缩短至 24 小时，推动超表面技术从理论走向集成光学应用。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。德国技术基因：融合精密光学与自动化控制，确保设备高稳定性与长寿命。

无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。Polos-BESM 光刻机：无掩模激光直写，50nm 精度，支持金属 / 聚合物同步加工，适配第三代半导体器件研发。重庆光刻机让你随意进行纳米图案化

能源收集：微型压电收集器效率 35%，低频振动发电支持无源物联网。上海BEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米

德国Polos-BESM系列光刻机采用无掩模激光直写技术，突破传统光刻对物理掩膜的依赖，支持用户通过软件直接输入任意图案进行快速曝光。其亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圆上实现高精度微纳结构加工18。系统体积紧凑，only占桌面空间，搭配闭环自动对焦（1秒完成）和半自动多层对准功能，大幅提升实验室原型开发效率，适用于微流体芯片设计、电子元件制造等领域。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。上海BEAM-XL光刻机MAX层厚可达到10微米