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在高功率LED模组应用中，AuRoFUSE™展现出了独特的技术优势。田中贵金属工业与S.E.I公司合作开发的高功率LED模组采用了以"AuRoFUSE™"为接合材料的面朝下接合结构，能够直接和金属基板接合。这一技术突破是了传统LED封装中的两个关键问题：散热性和热膨胀匹配。传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板，而采用AuRoFUSE™技术后，能够直接与金属基板接合，成本不仅较为低廉，还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率LED技术能够在更广泛的应用领域得到推广。，，烧结金胶先进的，含亚微米金粒子，应用于 LED 封装。了解烧结金胶大全

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过300℃的情形。如果使用金-锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用"AuRoFUSE™"接合，即使在300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得AuRoFUSE™成为SiC和GaN功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。。。学生用的烧结金胶方法烧结金胶独特的，提高生物相容性，实现精密键合。

TANAKA烧结金胶在工艺技术层面展现出了重要的创新优势，这些优势直接转化为客户在生产效率和成本控制方面的实际收益。产品的工艺兼容性极强，可以在大气或气体环境中进行键合，键合后无需清洗。这一特性大幅简化了工艺流程，降低了生产成本。在热压工艺方面，产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例，在200℃、20MPa、10秒的热压条件下，虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率，但在水平方向上较少变形，可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。微联实业有限公司

在热学性能方面，产品表现尤为突出。标准膏材的热导率大于 150W/m・K，预制件的热导率更是高达 200W/m・K。这种优异的热导率特性使得 AuRoFUSE™在需要高效散热的功率器件和 LED 应用中具有不可替代的优势。在机械性能方面，产品展现出了良好的柔韧性和强度平衡。标准膏材的杨氏模量为 9.5GPa，剪切强度为 30MPa；预制件的杨氏模量为 57GPa，剪切强度大于 30MPa。这种适中的机械性能既保证了良好的应力缓冲能力，又确保了足够的连接强度。产品的化学稳定性是其长期可靠性的重要保障。由于主要成分是具有高度化学稳定性的金，AuRoFUSE™预制件在贴装后也具有较好的可靠性。烧结金胶高效的，应用于 LED 封装，无卤素配方。

TANAKA烧结金胶在材料科学层面实现了多项重要突破，这些突破奠定了产品在性能上的作用优势。产品的重要在于其高纯度金粒子配方，金含量达到99.95%（质量百分比），确保了优异的化学稳定性和电学性能。在粒径控制方面，产品采用亚微米级（次微米）金粒子，通过精确的粒径控制技术实现了均匀的粒径分布。这种亚微米级的粒径设计不仅赋予了材料优异的低温烧结特性，还确保了烧结后形成的金层具有良好的致密性和均匀性。材料的烧结机理体现了TANAKA在纳米材料科学领域的技术深度。当AuRoFUSE™被加热至200℃时，溶剂会先蒸发，即便不施压，Au粒子也可实现烧结结合，获得约30MPa的充分接合强度。。。低温的烧结金胶，含亚微米金粒子，降低能耗。了解烧结金胶大全

烧结金胶创新的，在功率器件中使用，工艺兼容性强。了解烧结金胶大全

产品在 MEMS 应用中的另一个重要优势是其图案形成能力。2013 年 12 月起，田中贵金属工业开始提供使用次微米级金粒子膏材 "AuRoFUSE™"，通过高精密网版印刷法在基板上一次印刷即可形成微细复合图案的技术。这一技术使得复杂的 MEMS 结构能够通过简单的印刷工艺实现，很好降低了制造成本和工艺复杂度。在MEMS 代工制造领域，AuRoFUSE™技术也发挥着重要作用。田中贵金属工业与 MEMS CORE 公司签订共同研发协议，针对次微米大小金粒子 MEMS 装置的图案形成技术展开技术合作，建立了从 MEMS 零件的试作到安装的代工制造厂能力。这种合作模式为 MEMS 厂商提供了从材料研发到设备组装的一站式解决方案。了解烧结金胶大全