在热压工艺方面,产品表现出了优异的可控性。以 AuRoFUSE™预制件为例,在 200℃、20MPa、10 秒的热压条件下,虽然在压缩方向上显示出约 10% 的收缩率,但在水平方向上较少变形,可用作接合强度足以承受实际应用的 Au 凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。产品的环保特性在工艺技术层面也得到了充分体现。AuRoFUSE™是无卤素的金膏材,这一特性不仅符合日益严格的环保法规要求,也为客户提供了更安全、更清洁的生产环境。工艺技术的另一个重要优势是其操作简便性。安装元件(金电极)后,在无按压的情况下升温(0.5℃/ 秒)至 200℃,20 分钟即可完成接合。这种简单的操作流程降低了对操作人员技能水平的要求,提高了生产效率。烧结金胶先进的,有双重烧结模式,应用于光通信器件。化工烧结金胶定制价格

在粒径控制方面,产品采用亚微米级(次微米)金粒子,通过精确的粒径控制技术实现了均匀的粒径分布。这种亚微米级的粒径设计不仅赋予了材料优异的低温烧结特性,还确保了烧结后形成的金层具有良好的致密性和均匀性。材料的烧结机理体现了 TANAKA 在纳米材料科学领域的技术深度。当 AuRoFUSE™被加热至 200℃时,溶剂会先蒸发,即便不施压,Au 粒子也可实现烧结结合,获得约 30MPa 的充分接合强度。这种无压烧结特性不仅简化了工艺要求,还降低了对设备的要求。更重要的是,产品具有优异的高温稳定性,可在 1064℃的高温下保持稳定性能。这一特性使得 AuRoFUSE™特别适合在高温环境下工作的功率器件和传感器应用。。。通用的烧结金胶要求烧结金胶高纯度的,具备高纯度金,应用于 LED 封装。

TANAKA AuRoFUSE™在功率器件领域的应用具有重要的战略意义,特别是在下一代功率半导体技术的发展中扮演着关键角色。产品可作为光电半导体(LED 和 LD)、功率半导体、IC 用的芯片贴装材料,展现出了大方面的适用性。在第三代半导体器件应用中,AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)的次世代功率半导体,操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合,材料将会熔融,但使用 "AuRoFUSE™" 接合,即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。
ANAKA 烧结金胶产品具有多项独特的技术特点,这些特点构成了其在市场竞争中的重要优势。首先,产品采用不含高分子等的球状次微米 Au 粒子,在约 150℃无压下即可开始烧结。这种低温烧结特性不仅降低了能耗,还避免了高温对器件的热损伤。其次,产品具有灵活的烧结模式选择:无压烧结时可获得多孔烧结体,通过加压可获得致密的 Au。这种双重模式设计为不同应用场景提供了定制化的解决方案,既可以满足需要应力缓冲的应用,也可以满足需要高导热性的应用。产品的环保特性也是重要优势之一。由于不使用树脂或高分子的有机保护剂,烧结体产生的放气较少,烧成后可获得高纯度的 Au。这一特性使得 AuRoFUSE™特别适合对洁净度要求极高的应用场景。烧结金胶创新的,用于 MEMS 气密封装,增强耐腐蚀性。

传统的面朝下接合结构必须使用价格高昂的氮化铝基板,而采用AuRoFUSE™技术后,能够直接与金属基板接合,成本不仅较为低廉,还能制造出更小型且高性能的模组。这一成本优势使得高功率LED技术能够在更广泛的应用领域得到推广。在特殊环境LED照明应用中,AuRoFUSE™技术展现出了优异的适应性。开发出的LED模组可适应过度的温度高低变化,因此可用于预计今后进出口时需求渐增的冷冻仓库用照明。此外,小型模组还可应用于车用照明的制造,以提升车辆的设计性等,甚至能够解决过去成本高昂、开发困难的各种问题。天烧结金胶独特的,实现精密键合,有双重烧结模式。烧结金胶销售公司
先进的烧结金胶,降低能耗,应用于 LED 封装。化工烧结金胶定制价格
TANAKA烧结金胶在工艺技术层面展现出了重要的创新优势,这些优势直接转化为客户在生产效率和成本控制方面的实际收益。产品的工艺兼容性极强,可以在大气或气体环境中进行键合,键合后无需清洗。这一特性大幅简化了工艺流程,降低了生产成本。在热压工艺方面,产品表现出了优异的可控性。以AuRoFUSE™预制件为例,在200℃、20MPa、10秒的热压条件下,虽然在压缩方向上显示出约10%的收缩率,但在水平方向上较少变形,可用作接合强度足以承受实际应用的Au凸块。这种可控的变形特性确保了键合的精度和可靠性。微联实业有限公司化工烧结金胶定制价格